22 октября 1977 - В свой первый рейс отправился атомный ледокол «Сибирь».
                
Современные достижения науки и техники, новые технологии, электроника, компьютеры, роботы, гаджеты, мобильные устройства, интересные разработки известных корпораций, средства коммуникаций, футуристические концепты, космические исследования, архитектура, судостроение, дизайн - все это и многое другое в новостях и обзорах на этом сайте

С 28 октября по 2 ноября 2013 г. в НИТУ «МИСиС» пройдет международный симпозиум «Физика кристаллов-2013»

Международный симпозиум «Физика кристаллов», посвященный 100-летию со дня рождения Марианны Петровны Шаскольской

С 28 октября по 2 ноября в НИТУ «МИСиС» пройдет международный симпозиум «Физика кристаллов-2013», посвященный 100-летию со дня рождения известного ученого, кристаллографа, доктора физико-математических наук, профессора, основателя кафедры физики кристаллов МИСиС Марианны Петровны Шаскольской.

Открытие Симпозиума состоится в 15.00 в актовом зале НИТУ МИСиС» по адресу: Москва, Ленинский проспект, 4.

В организации Симпозиума участвуют: Научный Совет РАН по физике конденсированных сред, Межгосударственный координационный Совет по физике прочности и пластичности материалов, НИТУ «МИСиС», Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, ОАО «Гиредмет» ГНЦ РФ, Институт металловедения и физики металлов ГНЦ РФ «ЦНИИчермет им. И. П. Бардина».

Симпозиум объединит Пятую Международную конференцию "КРИСТАЛЛОФИЗИКА 21-ГО ВЕКА" и Третьи Московские чтения по проблемам прочности материалов.

Открытие пройдет под председательством директора ГНЦ РФ «Гиредмет» Ю.Н. Пархоменко и директора Института металловедения и физики металлов ГНЦ РФ «ЦНИИчермет» им. И.П. Бардина А.М. Глезера. В открытии Симпозиума примут участие ректор НИТУ «МИСиС» А.А. Черникова, директор «ЦНИИчермет» им. И.П. Бардина К.Л. Косырев, и.о. директора Института кристаллографии РАН В.М. Каневский, президент НИТУ «МИСиС» Ю.С. Карабасов.

Задача конференции собрать ученых и производственников, обсудить различные аспекты кристаллофизики, обобщить имеющиеся теоретические и экспериментальные материалы по вопросам развития перспективных кристаллов, предложить новые варианты их получения. Это даст возможность комплексного подхода ученых разных направлений к анализу накопленных результатов. Такой подход к рассмотрению задач дальнейшего расширения сфер применения монокристаллов позволяет определить тенденции развития технологий получения и методов исследования новых материалов.

За прошедшие годы подобная форма анализа результатов и определения перспективных направлений исследований позволила получить результаты, имевшие широкий международный резонанс. Так, в результате намеченных перспективных направлений в получении сцинтилляционных кристаллов вольфрамата свинца в России было организовано производство высококонкурентных кристаллов. В организации производства принимали участие выпускники кафедры кристаллографии, работавшие на заводе г. Богородицка. Это привело к получению по конкурсу крупного заказа на изготовление более 220 тысяч кристаллических датчиков элементарных частиц для Европейского центра ядерных исследований (ЦЕРН, Швейцария) и изготовление детекторов для коллайдера и, в конечном счете, к нахождению нового бозона Хиггса.

Другим не менее удачным примером содружества ученых являются работы научно-производственного центра «Фомос», организованного выпускниками МИСиС, на котором получены высококачественные кристаллы сложных лангаситов, ставшие основой элементной базы микро- и наноэлектроники и акустики. Производство началось после обсуждения перспектив их применения на конференциях и семинарах, проводимых на кафедре. Они пользуются большим спросом в США, Японии, Корее, так как кристаллы являются инновационной разработкой и конкурентоспособны на мировом рынке высокотехнологичных изделий.

В последние годы ученые НИТУ «МИСиС» работают над проектом по созданию активных элементов микро- и наноэлектроники на основе структурированных кристаллических пьезоэлектрических материалов и компонентов систем перемещения. Они могут быть использованы для систем микро и наноперемещений при получении наноразмерных упорядоченных структур для нанолитографии и методов зондового сканирования.

Тематика чтений

  • Структура, распределение дефектов и анизотропия физических свойств кристаллов микро- и наноэлектроники.
  • Влияние дефектов структуры на физико-механические свойства.
  • Процессы пластической деформации и разрушение твердого тела.
  • Влияние внешних физических воздействий на прочность и пластичность кристаллов; фото-, электро-, и магнитопластические эффекты.
  • Интенсивные и мегапластические деформации.
  • Физические основы получения новых функциональных материалов. Композиционные материалы, интерметаллиды и аморфное состояние вещества.
  • Наноматериалы и нанотехнологии в электронике, приборостроении и металлургии. Графены и фуллерены.
  • Кристаллы в квантовой электронике.
  • Проблемы технологии, дефектообразования и применения полупроводниковых материалов. Физика гетероструктур на основе суперионных полупроводников.
  • Управление структурой пьезо- и сегнетоэлектрических кристаллов и расширение областей их применения.
  • Сцинтилляторы и люминофоры в физике высоких энергий.
  • Проблемы качества и сертификации материалов.

Несколько слов о профессоре М.П. Шаскольской

Профессор М.П. Шаскольская – выдающийся российский ученый в области кристаллофизики, теории дислокаций, физики прочности и пластичности, основатель кафедры «Кристаллографии» в МИСиС, педагог и популяризатор науки, писатель, автор более 200 научных трудов и 20 книг, переводчик и редактор более 20 научных монографий зарубежных авторов.

В 1988 г. по решению ЮНЕСКО имя М.П. Шаскольской внесено в сборник “47 выдающихся женщин-физиков мира”.

Памяти М.П. Шаскольской университет МИСиС провел четыре Международные Конференции по физике кристаллов «Кристаллофизика 21-го века» в 1998 и 2003 г. – в Москве, в 2006 г. – в Черноголовке, в 2010 г. – в Москве совместно с Национальной конференцией по росту кристаллов.

О кристаллофизике как науке

Современная наука о материалах во многом базируется на изучении кристаллического состояния вещества и поэтому получила название «Физика кристаллов» или сокращенно «Кристаллофизика».

Кристаллофизика рассматривает не столько идеальную структуру кристаллического состояния вещества, так называемого монокристалла, сколько его реальную структуру, т.к. именно она определяет физические и химические свойства. Дефекты, примеси, кластеры, активные центры определяют фундаментальные характеристики таких структур. Эта структурная чувствительность кристаллов позволяет управлять и задавать их свойства как на стадии их роста, так и с помощью различного вида внешних воздействий на структуру: облучения, механической деформации, измельчения, отжига, структурирования и прочих. Эффективность воздействий увеличивается при переходе от микромасштаба управления кристаллической решеткой к наноструктурному управлению свойствами.

Сформировались две области применения монокристаллов: приборостроение и конструкционное материаловедение.

В приборостроении кристаллы получили распространение в качестве элементов электронной и квантовой электроники. Например, полупроводниковых элементов и пленок - процессоры, датчики, элементы солнечной энергетики, акустические и оптические преобразователи и пр.; оптических и лазерных элементов и систем преобразования света, подложек интегральных схем и светодиодов, детекторов радиации и элементарных частиц, пьезоэлектрических элементов и др. Невозможно представить себе существование и развитие всех этих направлений без применения кристаллов.

В конструкционном материаловедении монокристаллы, в силу высокой термохимической и термомеханической прочности, получили применение в атомной, аэрокосмической, электронной, медицинской и других областях.

Эти направления применения остаются актуальными, поэтому продолжается поиск новых кристаллических материалов и изучение процессов формирования и управления реальной структуры кристаллов.

Начиная с 1998 года, на кафедре физики кристаллов, затем на объединенной кафедре материаловедения полупроводников и диэлектриков МИСиС, было проведено активное обсуждение реальных проблем микро- и наноэлектроники в материаловедении кристаллических полупроводников и диэлектриков. Для этого было организовано четыре Международные конференции по физике кристаллов «Кристаллофизика 21-века» и несколько Всероссийских координационных семинаров по вопросам перспектив применения кристаллов для акусто- и оптоэлектроники, сцинтилляционной техники. Конференции проводятся совместно с Академией наук РФ: в 2010 г. с Институтом Кристаллографии и Институтом Ядерной физики; в 2006г. с Институтом Проблем материаловедения.

     

Фотофакт

Air Penguin

Наполненные гелием бионические роботы-пингвины, способные свободно парить в воздухе, не сталкиваясь с окружающими предметами и между собой.

Комментарии

открытый проект летающего ветрогенератора
Николай! Если хочешь, то можем пообщаться на эту тему. Может что-то полезное сможем извлечь на эту тему. Василий possitiv.me@gmail.com
УДК 621.744 В. С. Дорошенко, doro55v@gmail.com ,Физико-технологический институт металлов и сплавов НАН Украины. Способы получения песчаных...
          Рейтинг@Mail.ru